1．微小型化

迫于電子產(chǎn)品向更小、更輕、更靈巧的方向發(fā)展，EMI對(duì)策元件繼續(xù)向微小型化發(fā)展，如片式磁珠和片式電容器的主流封裝尺寸已經(jīng)逐步從1608（0603）過渡到1005（0402）；又如日本村田新發(fā)布的3繞組共模扼流圈的尺寸僅為2.5mm×2.0mm×1.2mm；在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸內(nèi)封裝了兩個(gè)共模扼流圈陣列。

2．高頻化

目前，電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢(shì)十分明顯，如計(jì)算機(jī)的時(shí)鐘頻率提高到幾百兆赫乃至千兆赫；數(shù)字無(wú)線傳輸?shù)念l率也達(dá)到2GHz以上；無(wú)繩電話的頻率從45MHz提高到2400MHz等，因而由高次諧波引起的噪聲也相應(yīng)出現(xiàn)在更高的頻率范圍，EMI對(duì)策元件也隨著向高頻化發(fā)展，例如，疊層型片式磁珠的抑制頻率提高到GHz范圍。

內(nèi)南虹、順絡(luò)、麥捷以及外的Murata、TDK、Taiyo－yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能優(yōu)良的GHz片式磁珠，其抑制噪聲頻率在600MHz～3GHz，滿足了高速數(shù)字電路的要求；村田的3端片式穿心陶瓷電容器的抑制頻率范圍為3MHz～2000MHz；TDK開發(fā)的1005（0402）片式電感器的使用頻率達(dá)到12GHz。

3．復(fù)合化和多功能化

在電子產(chǎn)品中經(jīng)常有排線部位，如I/O排線。為了使用方便，節(jié)省PCB面積，加快表面貼裝速度，一些片式EMI對(duì)策元件已經(jīng)陣列化。在1個(gè)封裝內(nèi)通常含有2、4、6、8個(gè)EMI對(duì)策元件。此外，將不同功能的EMI對(duì)策元件組合在1個(gè)封裝內(nèi)，達(dá)到多功能的目的。如將噪聲抑制功能與靜電放電保護(hù)功能組合在一起；將電容器與電感器或電阻器組合在一起；將共模噪聲抑制與差模噪聲抑制組合在一起等，都體現(xiàn)了向多功能化發(fā)展的趨勢(shì)。

4．新材料和新元件

眾所周知，尖晶石型軟磁鐵氧體和BaTiO3基陶瓷材料在EMI對(duì)策中占有十分重要的位置。近年來，又開發(fā)出一些新型材料，可用于抗電磁干擾，如6角晶系鐵氧體材料、金屬磁粉材料、非晶及超細(xì)晶金屬磁性材料、高分子磁性材料、高分子介質(zhì)材料、復(fù)合介質(zhì)材料及納米材料等。這些新型材料將在電磁兼容領(lǐng)域嶄露頭角，值得人們密切關(guān)注。